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分立半导体
STP4LN80K5参考图片

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STP4LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.3789
73.789
100
¥5.6726
567.26
500
¥5.0059
2502.95
1,000
¥3.955
3955
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP4LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP4LN80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:16023
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MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
参考库存:5997
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.8421
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:5806
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥20.1366
10:¥17.1308
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:4087
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED NPN XSTR 45V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:8290
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