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分立半导体
STD13N60DM2参考图片

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STD13N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.345
3672.5
2,500
¥5.6726
14181.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD13N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.5 ns
典型接通延迟时间
12.3 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,STD13N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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