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分立半导体
STW28N65M2参考图片

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STW28N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW28N65M2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW28N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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25:¥164.5958
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