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分立半导体
C2M0045170P参考图片

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C2M0045170P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
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数量单价合计
1
¥614.72
614.72
100
¥591.0578
59105.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1700 V
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
59 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
188 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
21.7 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,C2M0045170P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 25A REV Leads Std. Recovery
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:1508
分立半导体
MOSFET SMD-Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:3209
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:2315
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 30 Volt
1:¥15.5262
10:¥14.0572
100:¥12.1362
500:¥10.8367
1,000:¥10.1474
参考库存:2318
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1335
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