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分立半导体
IKW75N65EH5XKSA1参考图片

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IKW75N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥52.4094
52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
1129.435
100
¥39.1884
3918.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N65EH5 SP001257948
商品其它信息
优势价格,IKW75N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A, 40V
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.50737
5,000:¥0.3842
参考库存:75763
分立半导体
整流器 1A, 1000V 1A, 1000V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,500:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:51139
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
1:¥10.3734
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.6048
2,500:¥3.9211
10,000:查看
参考库存:4003
分立半导体
桥式整流器 400V 10A Bridge Rectifier
1:¥10.6785
10:¥9.379
25:¥8.4524
100:¥7.458
参考库存:3825
分立半导体
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥34.8831
10:¥29.6625
100:¥25.6623
250:¥24.3628
500:¥21.8203
参考库存:2615
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