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分立半导体
SQ4064EY-T1_GE3参考图片

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SQ4064EY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：6,331(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.7913
67.913
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
16.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
6.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，SQ4064EY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N740
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:27518
1N6336
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥85.4506
10:¥76.9191
25:¥70.0826
50:¥65.2349
参考库存:27521
CSD87355Q5DT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
250:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
2,500:¥9.9101
5,000:¥9.5259
参考库存:27524
AUIRLR2703
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0568
参考库存:27527
TT170N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 350A DUAL
1:¥1,106.6542
5:¥1,084.9017
10:¥1,034.3455
25:¥1,012.593
参考库存:27530
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