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分立半导体
RGW80TS65DGC11参考图片

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RGW80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:2,380(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
214 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 12A High Temp Thyristor
1:¥16.2155
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:3770
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:6216
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Fast Recvry 600V Vr TO-252(DPAK) 3A Io
1:¥6.3732
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥3.1414
2,500:¥2.8589
参考库存:5536
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,500:¥4.6669
9,000:查看
参考库存:4942
分立半导体
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,500:¥14.6787
参考库存:8092
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