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分立半导体
CSD19535KTTT参考图片

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CSD19535KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:2,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥23.2102
232.102
50
¥23.2102
1160.51
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.7523
4438.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19535KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
301 S
下降时间
15 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,CSD19535KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=150V, IO=10A
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.8985
1,000:¥2.8928
参考库存:19719
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.1416
25:¥6.4523
100:¥5.6387
800:¥3.4578
2,400:查看
参考库存:19722
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,100V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥9.9892
10:¥8.8366
25:¥7.9891
100:¥6.9947
800:¥4.2827
2,400:查看
参考库存:19725
分立半导体
整流器 10A, 600V, G.P. DUAL RECTIFIER
1:¥6.3054
10:¥5.763
100:¥4.4522
500:¥3.2996
2,000:¥2.2148
4,000:查看
参考库存:19728
分立半导体
整流器 4A, 200V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥3.3561
500:¥2.4634
1,250:¥1.8532
参考库存:19731
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