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分立半导体
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CSD23285F5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V P-CHANNEL FEMTOFET
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD23285F5
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
8.9 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD23285F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S282NR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
250:¥905.4803
参考库存:24682
A2T21S160-12SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:24685
BYT42M-TAP
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 1000 Volt 1.0 Amp
25,000:¥0.89948
参考库存:24688
VSSAF5L45-M3/6B
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5A,45V,TRENCH SKY RECT.
14,000:¥2.3391
参考库存:24691
DDTB133HU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:24694
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