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分立半导体
TISP8200MDR-S参考图片

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TISP8200MDR-S

  • Bourns
  • 新批次
  • SCR PROTECTOR - BUFFERED P-GATE PROG. PROT.
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库存:18,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.9836
10.9836
10
¥8.8366
88.366
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
2,500
¥4.1923
10480.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Bourns
产品种类
SCR
RoHS
系列
TISP8200M
最大转折电流 IBO
11 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
- 120 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
5 uA
开启状态RMS电流 - It RMS
-
最大栅极峰值反向电压
120 V
栅极触发电流-Igt
5 mA
保持电流Ih最大值
- 150 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
转折电流 VBO
- 82 V
电流额定值
50 uA
高度
1.55 mm
长度
5 mm
关闭状态电容 CO
35 pF
类型
Dual Polarity SLIC Overvoltage Protection
宽度
4 mm
商标
Bourns
不重复通态电流
11 A
产品类型
SCRs
工厂包装数量
2500
子类别
Thyristors
商标名
TISP
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,TISP8200MDR-S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:42334
分立半导体
整流器 Rectifier 0.4A Io SOT-25T 600VVrm
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:7180
分立半导体
MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1188
1,000:¥2.4973
2,000:¥2.4973
参考库存:28229
分立半导体
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:7093
分立半导体
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2207
500:¥6.3845
1,000:¥5.0398
2,500:¥5.0398
参考库存:10144
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