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分立半导体
MD7IC2012NR1参考图片

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MD7IC2012NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
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数量单价合计
1
¥300.4444
300.4444
5
¥285.2346
1426.173
10
¥280.3869
2803.869
25
¥254.1144
6352.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
31.5 dB
输出功率
1.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314984528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
优势价格,MD7IC2012NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
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1:¥1.3108
10:¥1.2317
100:¥0.43844
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1:¥2.2261
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100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
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1:¥2.2261
10:¥1.5142
100:¥0.63732
1,000:¥0.43053
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参考库存:36860
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双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11018
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