您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
MRF8P9210NR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MRF8P9210NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:17,173(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥657.5922
164398.05
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16.9 dB
输出功率
63 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.92 GHz to 0.96 GHz
系列
MRF8P9210N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935321673528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MRF8P9210NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes 4V 130mA
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
参考库存:3347
分立半导体
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
1:¥480.3291
5:¥469.5715
10:¥451.209
25:¥436.6772
参考库存:1984
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:5150
分立半导体
MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9157
250:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:8897
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
3,000:¥4.972
参考库存:4440
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们