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分立半导体
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MRFE6VP5600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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数量单价合计
1
¥1,028.4243
1028.4243
5
¥1,008.4459
5042.2295
10
¥975.1787
9751.787
25
¥933.9111
23347.7775
50
¥921.0856
46054.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935319677178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9660-100A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
800:¥3.2996
参考库存:9856
S10WB60-5000
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1:¥34.352
10:¥29.6625
100:¥26.5098
250:¥24.747
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1:¥72.772
10:¥65.4722
25:¥59.6301
100:¥53.8671
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MMBZ5239BTS-7-F
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3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
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SBRT05U10LP-7B
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rect
3,000:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:19399
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