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分立半导体
MRF6V2010GNR1参考图片

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MRF6V2010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
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库存:15,889(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.3587
168.3587
5
¥160.9798
804.899
10
¥155.2959
1552.959
25
¥135.5435
3388.5875
500
¥116.8759
58437.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
450 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
零件号别名
935321298528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V2010GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, FAST Rec. SMA RECTIFIER
15,000:¥0.91417
参考库存:18887
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6,000:¥2.8476
参考库存:18890
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整流器 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.5537
50,000:¥0.49155
100,000:¥0.45313
参考库存:18893
分立半导体
MOSFET 30V, 60A, Single N-Channel Power MOSFET
10,000:¥1.5707
20,000:¥1.5142
参考库存:18896
分立半导体
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.4A
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4973
25,000:¥2.4408
参考库存:18899
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