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分立半导体
IPI80N08S2-07参考图片

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IPI80N08S2-07

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库存:1,909(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPI80N08S207AKSA1 IPI8N8S27XK SP000219043
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,IPI80N08S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥32.1937
10:¥25.8996
100:¥23.5944
250:¥21.2892
参考库存:5091
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥86.445
10:¥77.8344
25:¥70.9188
100:¥64.0032
参考库存:4763
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥46.1831
10:¥37.1092
25:¥36.499
100:¥33.8096
参考库存:5307
分立半导体
桥式整流器 25 Amp 800 Volt
1:¥21.2101
10:¥17.5941
100:¥13.673
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:5762
分立半导体
稳压二极管 500mW 6.2V
1:¥2.8476
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.4068
参考库存:7858
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