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分立半导体
SPA11N60C3参考图片

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SPA11N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.7467
187.467
100
¥16.2946
1629.46
250
¥15.4471
3861.775
500
¥13.8312
6915.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.3 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP000216312 SPA11N60C3XKSA1 SPA11N6C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPA11N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ27DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28195
IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
2,500:¥21.5152
参考库存:28198
VS-50WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
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3,000:¥6.7009
参考库存:28201
SMBJ5952AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥4.7912
6,000:¥4.6895
9,000:¥4.6104
参考库存:28204
SE30AFBHM3/6B
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
14,000:¥0.91417
28,000:¥0.83733
参考库存:28207
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