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分立半导体
HFA3101BZ96参考图片

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HFA3101BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
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库存:40,621(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
2,500
¥39.9568
99892
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:6068
分立半导体
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:3314
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥41.7196
10:¥33.5045
25:¥32.883
100:¥30.51
参考库存:3202
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3655
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2047
100:¥22.7469
250:¥21.5943
参考库存:3166
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