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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-262-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Id-连续漏极电流	110 A
Rds On-漏源导通电阻	8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压	15 V
Qg-栅极电荷	45 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	203 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel TrenchMOS Logic Level FET
宽度	4.5 mm
商标	Nexperia
下降时间	86 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	123 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	131 ns
典型接通延迟时间	29 ns
单位重量	2.387 g

商品其它信息

优势价格，BUK9E08-55B,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CDBQR40-HF	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA	1:¥2.7685 10:¥1.8532 100:¥0.83733 1,000:¥0.52997 5,000:¥0.40002	参考库存:5226
SK13-LTP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA	1:¥3.7629 10:¥2.0905 100:¥1.12209 500:¥0.89948 3,000:¥0.52206 9,000:查看	参考库存:8128
IKW40N65H5AXKSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥51.9461 10:¥46.9515 25:¥44.7254 100:¥38.8042	参考库存:3146
BZT55C7V5 L1	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 7.5 Volt 500mW 5%	1:¥1.8419 10:¥1.5368 100:¥1.02943 1,000:¥0.34578 2,500:¥0.28476	参考库存:4881
BZT52B5V1 RH	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 5.1 Volt 410mW 2%	1:¥1.8419 10:¥1.6159 100:¥0.91417 1,000:¥0.33787 3,000:¥0.29154	参考库存:8563