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分立半导体
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CG2H30070F-TB2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
否
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
85 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
CG2H30070F
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格，CG2H30070F-TB2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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