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分立半导体
MG12150S-BN2MM参考图片

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MG12150S-BN2MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 150A Dual
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数量单价合计
1
¥695.628
695.628
5
¥674.1128
3370.564
10
¥652.1456
6521.456
25
¥630.3931
15759.8275
50
¥621.7147
31085.735
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Package S
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG12150S
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格，MG12150S-BN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STL34N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
3,000:¥26.0465
参考库存:26805
VS-VSKT430-20PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2000volt 430amp
1:¥3,917.9134
5:¥3,869.3573
10:¥3,772.7649
参考库存:26808
IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.9043
5,000:查看
参考库存:7171
VS-VSKD166/08PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 800 Volt 165 Amp
1:¥479.1765
5:¥470.3399
10:¥450.9717
25:¥436.8354
参考库存:4688
AUIRFZ44VZS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:26815
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