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分立半导体
SIHB10N40D-GE3参考图片

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SIHB10N40D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:38,098(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
D
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB10N40D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
5,000:¥0.75258
10,000:查看
参考库存:9959
分立半导体
整流器 100 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.0453
100:¥1.09836
500:¥0.88366
7,500:¥0.51528
参考库存:9193
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:26113
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:8692
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:11478
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