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分立半导体
SIHB10N40D-GE3参考图片

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SIHB10N40D-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 400V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存：38,098(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4354
3717.7
1,000
¥6.1585
6158.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
D
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHB10N40D-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DSB5820
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
100:¥114.0283
250:¥104.1182
500:¥93.6657
1,000:¥86.9083
参考库存:36242
1N6030UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
264:¥26.9731
500:¥24.0464
1,000:¥20.2835
2,500:¥18.7467
5,000:¥17.7523
参考库存:36245
1N6486
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥89.9819
250:¥82.1397
500:¥76.9191
1,000:¥68.6136
参考库存:36248
SSM3K121TU(TE85L)
Toshiba
分立半导体
MOSFET Vds=20V Id=3.2A 3Pin
暂无价格
参考库存:36251
1N4693UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
186:¥38.2618
250:¥35.1882
500:¥32.0468
1,000:¥27.9675
参考库存:36254
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