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分立半导体
STB23NM60ND参考图片

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STB23NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS
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数量单价合计
1
¥49.8669
49.8669
10
¥45.1096
451.096
25
¥42.9513
1073.7825
100
¥37.3465
3734.65
1,000
¥28.2726
28272.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
19.5 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB23NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB23NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1JLHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.71416
50,000:¥0.63732
100,000:¥0.59212
参考库存:22186
FST16030
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:22189
1N4112-TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
10,000:¥1.3447
20,000:¥1.2769
50,000:¥1.243
参考库存:22192
ES1ALHRQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.68365
50,000:¥0.60681
100,000:¥0.56839
参考库存:22195
MURTA200120R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1200V 200A Si Super Fast Recovery
18:¥788.2202
36:¥751.4952
54:¥736.0481
108:¥709.4592
参考库存:22198
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