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分立半导体
PSMN1R1-30EL,127参考图片

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PSMN1R1-30EL,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
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数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
I2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
243 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
338 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，PSMN1R1-30EL,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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20,000:查看
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DTA123JUAT106
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双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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1,000:¥1.2882
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100:¥6.1359
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1,000:¥4.2827
1,500:¥3.7968
参考库存:4662
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