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分立半导体
NP50P04SDG-E1-AY参考图片

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NP50P04SDG-E1-AY

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
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数量单价合计
2,500
¥6.7461
16865.25
5,000
¥6.2489
31244.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.1 mm
商标
Renesas Electronics
下降时间
180 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
405 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,NP50P04SDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
1:¥7.3789
10:¥6.4071
25:¥5.6726
50:¥5.4918
1,000:¥2.8476
2,000:查看
参考库存:20514
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1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
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参考库存:9185
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
3,000:¥1.1639
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24,000:¥1.02943
45,000:¥1.00683
参考库存:15187
分立半导体
稳压二极管 350mW ZENER
3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
参考库存:20521
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMBO
3,000:¥2.7685
参考库存:20524
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