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分立半导体
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2N2918

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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库存:1,164(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥181.1164
181.1164
10
¥179.1954
1791.954
25
¥164.6636
4116.59
50
¥160.7538
8037.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
增益带宽产品fT
60 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N2918
直流电流增益 hFE 最大值
600
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
30 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
2N2918 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N2918的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.1472
10:¥5.1415
100:¥3.3109
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.2374
参考库存:8507
分立半导体
MOSFET -250V Single
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
4,000:¥1.5142
参考库存:5574
分立半导体
整流器 TAPE13 PWRDIODE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
参考库存:3237
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V 35A Trench IGBT
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:1725
分立半导体
整流器 400V 1A Ultrafast
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
2,500:¥0.71416
参考库存:47418
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