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分立半导体
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DMG3N60SCT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7856
57.856
100
¥4.4409
444.09
500
¥3.9211
1960.55
1,000
¥3.1075
3107.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
10.6 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，DMG3N60SCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52C3V0S RRG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 3,0v, 200mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥0.94468
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.30736
参考库存:24209
1N5222B R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2v5
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.82264
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:24212
BZT52B7V5 RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 410mW 2% 7V5
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:24215
1N5241B R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 11v
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.82264
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:24218
GKN240/16
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 Standard Recovery - 1600 V - 320 A - DO-9
1:¥564.3898
5:¥553.5531
10:¥530.196
20:¥506.2965
参考库存:24221
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