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分立半导体
STP33N60M6参考图片

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STP33N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存：3,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥27.2782
272.782
100
¥23.6622
2366.22
250
¥22.4418
5610.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP33N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.5 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
商品其它信息
优势价格，STP33N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P25S12M3-F
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:3008
VS-40TPS12LHM3
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR 35A If; 1200V Vr TO-247AD 3L; Std Igt
1:¥42.4202
10:¥35.1882
100:¥28.9732
250:¥28.0466
500:¥25.199
参考库存:3444
YFZVFHTR5.1B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 4.94-5.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6924
SJ6016R2TP
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥16.8257
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3578
SBRD8360G-VF01
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:4155
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