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IGW20N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.6788
1667.88
250
¥15.8313
3957.825
500
¥14.2154
7107.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW20N60H3FKSA1 IGW2N6H3XK SP000852238
商品其它信息
优势价格，IGW20N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT55C51
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.22261
25,000:¥0.2147
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:33704
UMZ30KFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 755-EDZVFHT2R30B
3,000:¥0.3842
参考库存:33707
PD57070S-E
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:33710
BZV55C3V9
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 500mW 5%
10,000:¥0.1921
25,000:¥0.18419
50,000:¥0.15368
100,000:¥0.13786
参考库存:33713
GBPC4004
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 40A 400V
200:¥18.2834
参考库存:33716
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