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分立半导体
STO36N60M6参考图片

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STO36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 29 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-LL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
STO33N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
商品其它信息
优势价格，STO36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF9640PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥13.221
10:¥10.9158
100:¥8.3733
参考库存:3226
CPH3462-TL-W
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 1A 100V 500MOHMS CPH3
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9130
NJL1302DG
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNPBIP PWR THERM TRK PPD
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:2307
MBRF40250TG
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 250V
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:3413
FDD6N50FTM
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V N-Channel
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9099
500:¥5.2206
2,500:¥3.6612
10,000:查看
参考库存:4183
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