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分立半导体
SIHG065N60E-GE3参考图片

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SIHG065N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥56.7825
56.7825
10
¥51.0986
510.986
50
¥46.5673
2328.365
100
¥42.036
4203.6
250
¥38.5782
9644.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG065N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LLZ5262B L1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 51v
1:¥1.1526
10:¥0.99892
100:¥0.63054
1,000:¥0.2147
2,500:¥0.17628
参考库存:26910
TS4B01GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 4A, 50V, SIL 7.5/7.5/7.5MM BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.1473
10:¥7.458
100:¥5.7404
500:¥4.2488
1,000:¥3.1414
参考库存:26913
JANTXV1N6638
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Switching
1:¥124.0966
10:¥112.7966
25:¥104.3442
50:¥98.6603
参考库存:26916
1N3996
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥305.0548
5:¥291.3818
10:¥282.2288
25:¥259.335
参考库存:26919
BAT54AW
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0.2 Amp 30 Volt Dual Common Anode
暂无价格
参考库存:26922
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