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分立半导体
STW72N60DM2AG参考图片

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STW72N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.037 Ohm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥74.7608
74.7608
10
¥67.6192
676.192
25
¥64.4665
1611.6625
100
¥56.0141
5601.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
66 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW72N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
67 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW72N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPA1504-F-A01
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