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分立半导体
RGTV00TK65GVC11参考图片

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RGTV00TK65GVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.8941
7223.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
94 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGTV00TK65GVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJH1CM7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:23719
MG1275W-XN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
60:¥901.1072
参考库存:23722
JAN1N6642UB
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Switching
100:¥176.8902
250:¥162.3584
500:¥154.5275
参考库存:23725
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:23728
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:23731
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