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分立半导体
CSD87335Q3DT参考图片

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CSD87335Q3DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30v Powerblock N ch MOSFET
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库存:4,454(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9101
991.01
250
¥9.9101
2477.525
500
¥8.6784
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC, 10.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87335Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S, 107 S
下降时间
4 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns, 27 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 8 ns
单位重量
68.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87335Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1W, 22V, 5% ZENER DIODE
1:¥4.3844
10:¥3.1527
100:¥1.8645
1,000:¥0.791
5,000:¥0.68365
参考库存:23763
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,20V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.3053
10:¥3.0736
100:¥2.0114
500:¥1.1865
1,800:¥0.79891
9,000:查看
参考库存:23766
分立半导体
稳压二极管 2W, 68V, Zener Diode Glass Passivated
1:¥4.9946
10:¥2.9154
100:¥2.3165
500:¥1.3786
3,500:¥0.91417
7,000:查看
参考库存:23769
分立半导体
整流器
1:¥4.068
10:¥3.6838
100:¥2.4182
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.66896
参考库存:23772
分立半导体
整流器 Diode High Efficient 1.5A, 200V, 50ns
1:¥4.0002
10:¥2.3843
100:¥1.6724
500:¥0.95259
参考库存:23775
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