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分立半导体
CSD87335Q3DT参考图片

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CSD87335Q3DT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30v Powerblock N ch MOSFET
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库存:4,454(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9101
991.01
250
¥9.9101
2477.525
500
¥8.6784
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC, 10.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87335Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S, 107 S
下降时间
4 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns, 27 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 8 ns
单位重量
68.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87335Q3DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N-Ch -50Vbr -4.2Vgs 50mA 250mW
1:¥29.1201
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2968
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.5879
1,000:¥5.7743
4,500:¥5.7743
参考库存:7058
分立半导体
MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:24297
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
1:¥3.1527
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.791
参考库存:5055
分立半导体
MOSFET Small reel verison
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5365
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