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SUP70030E-GE3参考图片

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SUP70030E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥25.8996
25.8996
10
¥21.5152
215.152
100
¥17.6732
1767.32
250
¥17.1308
4282.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
3.18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
214 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
30 ns
商品其它信息
优势价格，SUP70030E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SF66G R0G
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10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:35394
1SMA4756HR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 47V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
参考库存:35397
BZD27C51P R2G
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7,500:¥0.86784
22,500:¥0.81473
45,000:¥0.72998
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CMR2-02 BK
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2,500:¥2.147
10,000:¥2.0566
25,000:¥1.9775
参考库存:8216
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