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分立半导体
IPP80P03P4L04AKSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPP80P03P4L04AKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存:4,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
137 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP80P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP80P03P4L-04 IPP8P3P4L4XK SP000396390
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP80P03P4L04AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.537
100:¥3.5708
1,000:¥2.8589
2,500:¥2.5877
参考库存:7412
分立半导体
整流器 DIODE 50V 2A DO-214AC
1:¥4.0002
10:¥2.2939
100:¥1.3334
500:¥1.08367
5,000:¥0.69156
10,000:查看
参考库存:8787
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMB 2A 60V SMD Shtky
1:¥8.0682
10:¥6.5879
100:¥5.4805
500:¥4.2375
3,000:¥3.39
9,000:查看
参考库存:4819
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 200mA 200V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:7892
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:10607
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