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分立半导体
IKB15N65EH5ATMA1参考图片

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IKB15N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.5941
175.941
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.4414
3610.35
3,000
¥10.3734
31120.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
105 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N65EH5 SP001502570
商品其它信息
优势价格，IKB15N65EH5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFR1018ETRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:42334
RRE04EA6DFHTR
ROHM Semiconductor
分立半导体
整流器 Rectifier 0.4A Io SOT-25T 600VVrm
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:7180
IRFR9120NTRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1188
1,000:¥2.4973
2,000:¥2.4973
参考库存:28229
FDMS7560S
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:7093
FDD13AN06A0
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2207
500:¥6.3845
1,000:¥5.0398
2,500:¥5.0398
参考库存:10144
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