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分立半导体
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FS30R06W1E3

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库存：3,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥223.6835
223.6835
5
¥221.3783
1106.8915
10
¥206.3154
2063.154
25
¥197.0946
4927.365
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
150 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06W1E3BOMA1 SP000223650
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格，FS30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3635L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.8294
200:¥82.829
500:¥77.4502
1,000:¥71.077
参考库存:32986
JANTXV1N4132UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥105.0448
137:¥105.0448
200:¥95.824
500:¥89.5977
1,000:¥82.2188
参考库存:32989
JANTXV1N3040B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.9547
130:¥110.9547
200:¥101.2028
500:¥94.6714
1,000:¥86.8292
参考库存:32992
JANTX1N5518D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥147.9961
200:¥135.8486
500:¥129.2494
参考库存:32995
JANTX1N5543D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥183.3425
200:¥168.2005
500:¥160.1323
参考库存:32998
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