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分立半导体
SUP10250E-GE3参考图片

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SUP10250E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220
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库存:4,011(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.5207
185.207
100
¥15.2098
1520.98
250
¥14.7578
3689.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
93 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SUP10250E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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7,500:¥0.97632
22,500:¥0.92999
参考库存:35929
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥6.328
4,500:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:35932
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