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分立半导体
SI7454DDP-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI7454DDP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:4,444(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9101
991.01
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.2263
6226.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI7454CDP-T1-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7454DDP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 500V 6A N-Channel
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6309
分立半导体
SCR模块 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE
1:¥1,870.1274
5:¥1,825.176
10:¥1,779.8404
25:¥1,754.8674
参考库存:46332
分立半导体
桥式整流器 200V 20A Glass Pass. Bridge Rectifier
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
参考库存:5346
分立半导体
肖特基二极管与整流器 MEGA RCTFR 20V 1A
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.5989
24,000:查看
参考库存:16916
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 6A 100V TR
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0003
500:¥5.2997
800:¥4.1923
参考库存:5797
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