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产品分类

分立半导体
SI7465DP-T1-GE3参考图片

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SI7465DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:10,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.0624
2531.2
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SI7465DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7465DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) N-Ch -50Vbr -4.2Vgs 50mA 250mW
1:¥29.1201
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:2968
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified
1:¥12.1362
10:¥9.9892
100:¥7.6614
500:¥6.5879
1,000:¥5.7743
4,500:¥5.7743
参考库存:7058
分立半导体
MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:24297
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
1:¥3.1527
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.791
参考库存:5055
分立半导体
MOSFET Small reel verison
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:5365
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