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分立半导体
SI2319DDS-T1-GE3参考图片

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SI2319DDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:10,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8306
915.3
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SI2319DDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 20V 600MA 3PIN
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.09836
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:7406
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5.0 Amp 40 Volt 150A IFSM @ 8.3ms
1:¥4.1471
10:¥3.1866
100:¥2.3617
500:¥1.9436
1,000:¥1.5029
参考库存:2829
分立半导体
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
800:¥10.2152
参考库存:1753
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO 40V TR
1:¥1.3786
10:¥1.2204
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:27462
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
10,000:¥0.43844
20,000:查看
参考库存:15284
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