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分立半导体
IPB180P04P4L-02参考图片

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IPB180P04P4L-02

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
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库存:6,338(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥18.9049
189.049
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.594
3898.5
500
¥13.9894
6994.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB18P4P4L2XT SP000709460
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180P04P4L-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥289.2235
5:¥286.229
10:¥266.7139
25:¥254.8037
参考库存:3008
分立半导体
SCR 35A If; 1200V Vr TO-247AD 3L; Std Igt
1:¥42.4202
10:¥35.1882
100:¥28.9732
250:¥28.0466
500:¥25.199
参考库存:3444
分立半导体
稳压二极管 4.94-5.2V 500mW SOD-323HE 20mA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:6924
分立半导体
SCR 16A High Temp Thyristor
1:¥16.8257
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
参考库存:3578
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC DPAK SPECIAL SHTKY
1:¥7.1416
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:4155
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