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分立半导体
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FQP17P10

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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6444
664.44
500
¥5.876
2938
1,000
¥4.6443
4644.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
16.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP17P10
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
9.9 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
200 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FQP17P10_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP17P10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.50737
23,400:¥0.45313
48,600:¥0.4068
99,000:¥0.37629
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100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:23260
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