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分立半导体
STGP10H60DF参考图片

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STGP10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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库存：2,868(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0964
7096.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP10H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KV2111-00
Microsemi
分立半导体
变容二极管 Diodes (Varactor)~~RFMW
115:¥55.1666
250:¥50.7144
500:¥46.2622
1,000:¥40.2619
参考库存:52854
CDLL3823A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥71.3821
200:¥65.088
500:¥60.8618
1,000:¥55.8672
参考库存:52857
1N4118UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥30.0467
237:¥30.0467
500:¥26.9731
1,000:¥22.7469
2,500:¥21.5943
参考库存:52860
1N4699UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥39.7308
180:¥39.7308
200:¥36.499
500:¥33.2672
1,000:¥28.9732
参考库存:52863
JAN1N4627UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥67.3141
117:¥67.3141
200:¥61.8562
500:¥56.3983
1,000:¥49.0985
参考库存:52866
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