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分立半导体
SIZF914DT-T1-GE3参考图片

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SIZF914DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
1,000
¥5.7969
5796.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x5F-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms, 1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
14 nC, 65 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.6 W, 60 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S, 105 S
下降时间
10 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
20 ns, 32 ns
商品其它信息
优势价格，SIZF914DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4454-B
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100:¥23.5153
304:¥23.5153
500:¥21.0519
1,000:¥17.7523
2,500:¥16.9048
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ALD310700APCL
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50:¥42.8044
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250:¥35.6515
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥143.1484
250:¥131.3173
500:¥125.0232
参考库存:32597
MX2N4092
Microsemi
分立半导体
JFET JFET
100:¥617.2512
参考库存:32600
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