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IKW25N120H3

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数量单价合计
1
¥49.72
49.72
10
¥44.9514
449.514
25
¥42.8722
1071.805
100
¥37.1883
3718.83
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N12H3XK SP000674418
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW25N120H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKV56/06
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 60 Amp 1256 Amp ITSM
1:¥312.8179
5:¥304.5124
10:¥292.6813
25:¥270.7028
参考库存:24179
T4771N28TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2800V
1:¥22,928.1294
参考库存:24182
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2400 Volt 1473 Amp
1:¥2,152.1302
5:¥2,100.4214
10:¥2,048.2493
25:¥2,019.5134
参考库存:24185
SIHG33N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥52.7145
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
250:¥35.8888
500:¥32.7361
参考库存:24188
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1400 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥284.6922
5:¥277.1664
10:¥266.4088
参考库存:24191
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