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分立半导体
IPP120P04P4L-03参考图片

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IPP120P04P4L-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -120A TO220-3 OptiMOS-P2
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库存:6,975(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥17.063
170.63
100
¥13.673
1367.3
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPP120P04P4L03AKSA1 IPP12P4P4L3XK SP000842300
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP120P04P4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:13340
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W 2%
1:¥1.921
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:27066
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥171.2741
参考库存:1240
分立半导体
稳压二极管 36V 500mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:11685
分立半导体
稳压二极管 350MW 6.0V
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:9152
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