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分立半导体
RGW60TK65DGVC11参考图片

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RGW60TK65DGVC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥41.2676
41.2676
10
¥35.0413
350.413
100
¥30.3518
3035.18
250
¥28.815
7203.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PFM
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
33 A
Pd-功率耗散
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
33 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，RGW60TK65DGVC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3821AUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
108:¥66.0824
250:¥60.3194
500:¥55.0197
1,000:¥46.5673
参考库存:52561
JANTXV1N749C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥83.3714
173:¥83.3714
200:¥75.9925
500:¥71.1561
1,000:¥65.2349
参考库存:52564
JAN1N986CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:52567
1N5276BUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥40.567
176:¥40.567
200:¥37.2674
500:¥33.9678
1,000:¥29.5834
参考库存:52570
GC1718-00
Microsemi
分立半导体
变容二极管
100:¥79.2243
250:¥72.2296
500:¥67.5401
1,000:¥61.9353
参考库存:52573
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