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分立半导体
SI1016CX-T1-GE3参考图片

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SI1016CX-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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库存:9,999(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.7741
177.41
500
¥1.4238
711.9
3,000
¥0.9831
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
350 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻
396 mOhms, 756 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC, 1.65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
220 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S, 2 S
下降时间
8 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns, 26 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 11 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,SI1016CX-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
参考库存:6189
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:4886
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:6968
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
10,000:¥0.89157
20,000:查看
参考库存:23995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL
1:¥3.9211
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
参考库存:10019
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