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产品分类

分立半导体
IRG4BC15UD-LPBF参考图片

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IRG4BC15UD-LPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz
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数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-262-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.02 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
49 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
9.65 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535612
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC15UD-LPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:44653
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:16111
分立半导体
MOSFET N-channel 100 V 38 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.4634
参考库存:15084
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:5629
分立半导体
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥8.2942
10:¥7.0399
100:¥5.4127
500:¥4.7799
1,000:¥3.7742
1,500:¥3.7742
参考库存:5579
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